靜電放電發(fā)生器的基本規(guī)則儲(chǔ)能電容 (Cs+Cd)： 150 pF ±10% 放電電阻（Rd)： 330 歐姆 ±10% 充電電阻(Rc)： 50M和100M歐姆之間輸出電壓：接觸放電8kV(標(biāo)稱值），　空氣放電15kV(標(biāo)稱值）輸出電壓示值的容許偏差：±5% 輸出電壓極性　　正和負(fù)極性（可切換）保持時(shí)間：　至少5s 放電，操作方式：?jiǎn)未畏烹姡ㄟB續(xù)放電之間的時(shí)間至少1s），為了探測(cè)的目的，發(fā)生器能至少20次/秒的重復(fù)頻率產(chǎn)生放電。

EMC（電磁兼容性）的定義包括兩個(gè)方面，一是設(shè)備應(yīng)能在一定的電磁環(huán)境中正常工作，即設(shè)備應(yīng)具有一定的電磁抗擾性（EMS）；第二，設(shè)備本身的電磁騷擾不能對(duì)其他電子產(chǎn)品產(chǎn)生太大的影響，即電磁騷擾（EMI）。

輻射發(fā)射測(cè)試是測(cè)量EUT通過(guò)空間傳播的強(qiáng)輻射騷擾場(chǎng)。可分為磁場(chǎng)輻射、電場(chǎng)輻射，前者針對(duì)燈具和電磁爐，后者應(yīng)用廣泛。此外，家用電器和電動(dòng)工具、AV產(chǎn)品輔助設(shè)備都需要功率輻射（稱為騷擾功率）。

靜電放電試驗(yàn)主要檢查人或物體接觸設(shè)備時(shí)的放電（直接放電），以及人或物體對(duì)設(shè)備相鄰物體的放電（間接放電）對(duì)設(shè)備工作的影響。靜電放電可在0.5~20ns時(shí)產(chǎn)生1~50A的放電電流。雖然電流很大，但由于持續(xù)時(shí)間很短，能量很小。因此，一般的靜電放電不會(huì)對(duì)人造成傷害，但可能會(huì)對(duì)集成電路芯片等電子產(chǎn)品造成破壞性的傷害。

隨著電子技術(shù)和集成電路的發(fā)展，電子設(shè)備越來(lái)越小、多功能、智能化。然而，高集成電路元件可能會(huì)因靜電場(chǎng)和靜電放電（ESD）而失效，導(dǎo)致電子設(shè)備鎖定、復(fù)位、數(shù)據(jù)丟失，影響設(shè)備的正常運(yùn)行，降低設(shè)備的可靠性，造成損壞。因此，研究電子設(shè)備造成的ESD原理和危害，避免ESD的發(fā)生具有重要意義。

國(guó)內(nèi)做電子電氣產(chǎn)品出口的企業(yè)對(duì)EMC認(rèn)證不會(huì)陌生，EMC就是電磁兼容性的英文簡(jiǎn)稱，EMC認(rèn)證就是產(chǎn)品的電磁兼容性認(rèn)證。很多國(guó)家都有自己的EMC認(rèn)證，但是大多數(shù)情況，EMC認(rèn)證是指歐盟CE認(rèn)證下的EMC指令，這主要是和歐盟CE認(rèn)證在全球的認(rèn)同度和普及度有關(guān)系。

電子產(chǎn)品的EMC性能是設(shè)計(jì)賦予的。測(cè)試僅僅是將電子產(chǎn)品固有的EMC性能用某種定量的方法表征出來(lái)。

隨著電磁兼容測(cè)試的發(fā)展，其分析方法逐步得到提高和完善，常分為三種方法，即問(wèn)題解決法、規(guī)范法和系統(tǒng)法。

電波暗室是一個(gè)封閉的屏蔽室，主要用于模擬開(kāi)放空間，用于測(cè)量輻射無(wú)線電騷擾(EMI)和輻射敏感性(EMS)。波暗室的尺寸和射頻吸波材料的選擇主要由受試設(shè)備(EUT)的外部尺寸和測(cè)試要求決定，分為1m法、3m法或10m法。